特許
J-GLOBAL ID:200903093850802169
結晶表面層の結晶性評価方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-252704
公開番号(公開出願番号):特開2006-071354
出願日: 2004年08月31日
公開日(公表日): 2006年03月16日
要約:
【課題】 本発明は、結晶表面層における結晶の歪みを、直接かつ確実に評価することができる結晶表面層の結晶性評価方法を提供する。【解決手段】 X線回折法を用いて、結晶1の表面1sから深さ方向への結晶性の変化を評価することにより、結晶表面層の結晶性を評価する方法であって、結晶の一つの結晶格子面に対する回折条件を満たすように、連続的にX線侵入深さを変えて結晶にX線を照射して、この結晶格子面についての回折プロファイルにおける面間隔および回折ピークの半価幅ならびにロッキングカーブにおける半価幅のうち少なくともいずれかの変化量を評価することを特徴とする結晶表面層の結晶性評価方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
X線回折法を用いて、結晶の表面から深さ方向への結晶性の変化を評価することにより、結晶表面層の結晶性を評価する方法であって、
前記結晶の一つの結晶格子面に対する回折条件を満たすように、連続的にX線侵入深さを変えて前記結晶にX線を照射して、前記結晶格子面についての回折プロファイルにおける面間隔および回折ピークの半価幅ならびにロッキングカーブにおける半価幅のうち少なくともいずれかの変化量を評価することを特徴とする結晶表面層の結晶性評価方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
2G001AA01
, 2G001BA18
, 2G001CA01
, 2G001GA08
, 2G001GA13
, 2G001KA08
, 2G001KA12
, 2G001LA20
, 2G001RA01
引用特許:
審査官引用 (9件)
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単結晶の結晶性評価方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-329677
出願人:住友電気工業株式会社
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特開昭49-076570
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単結晶表面層の評価方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-220073
出願人:伊藤進夫, 住友電気工業株式会社
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引用文献:
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