特許

J-GLOBAL ID：200903093851768878

ダイヤモンドのドーピング

発明者： ヨハン フランス プリンス
出願人/特許権者： デ ビアス インダストリアル ダイアモンド デイビジヨン (プロプライエタリイ) リミテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173554
公開番号（公開出願番号）：特開平6-166594
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 高濃度のドーピング原子をもダイヤモンドの中に導入し、更に、ダイヤモンドの外表面から損傷深さまで均質な荒らされた層を形成する方法を提供すること。【構成】 ドーピングされたダイヤモンドを製造する方法において、(a)低温での少量イオン注入を使用しながら、ダイヤモンドの結晶格子内に空孔及び侵入型原子の形態で、点欠陥の荒らされた層を形成する工程と、(b)低温での少量イオン注入を使用しながら、該荒らされた層の中にドーピング原子を導入する工程と、(c)工程(b)の生成物を急速にアニーリングして格子損傷を減らし、侵入型ドーピング原子を格子位置に拡散させる工程と、(d)望ましい量のドープ剤を有するドーピングされたダイヤモンドが製造されるまで、工程(a)〜(c)を繰り返す工程とを含む上記製造方法。

請求項（抜粋）：

ドーピングされたダイヤモンドを製造する方法において、(a) 低温での少量イオン注入を使用しながら、ダイヤモンドの結晶格子内に空孔及び侵入型原子の形態で、点欠陥の荒らされた層を形成する工程と、(b) 低温での少量イオン注入を使用しながら、該荒らされた層の中にドーピング原子を導入する工程と、(c) 工程(b)の生成物を急速にアニーリングして格子損傷を減らし、侵入型ドーピング原子を格子位置に拡散させる工程と、(d) 望ましい量のドープ剤を有するドーピングされたダイヤモンドが製造されるまで、工程(a)〜(c)を繰り返す工程とを含む、上記製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C30B 31/22 ,  H01L 21/265

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭61-291973
  
• 特開昭63-197344
  
• 特開平2-253622
  

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-291973