半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324051
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144109
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】MESFETでは高性能化のためにゲート長を短くする傾向があり、ゲート長が0.3umよりも小さい場合には、製造過程においてゲート金属がショットキ界面、あるいはショットキ界面直上のゲート金属が側壁形状をなしている部分から剥がれるという問題があった。【解決手段】ゲート電極庇18の上部、側部とその両側にあるオーミック電極10の上部を、一部に窒化膜開口部12が設けられた窒化シリコン膜で機械的に連結される構造となるので、ゲート電極に外力が加わった場合、外力に起因する応力はゲート底部のショットキー界面領域19だけに集中するのではなく、窒化シリコン膜にも分散され、ゲート金属の剥がれを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

少なくともリセス領域を有する基板と、前記リセス領域を足場として形成されたT字ゲート電極と、前記リセス領域の両側の基板上に形成されたソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極及び前記リセス領域を包括する領域以外の前記基板上に形成された第1絶縁膜と、前記基板上に堆積し、少なくとも前記T字ゲート電極、前記ソース・ドレイン電極及び前記第1絶縁膜の上を覆う第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜を含む前記基板を覆う第3絶縁膜と、からなるリセスゲート構造トランジスタを含む半導体装置であって、前記第2絶縁膜は前記T字ゲート電極及び前記ソース・ドレイン電極を除く一部の領域において開口部を有し、かつ、前記T字ゲート電極と前記ソース・ドレイン電極との間に空洞を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 B , H01L 29/80 F

Fターム (11件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102GV08

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