特許
J-GLOBAL ID：200903093855175650
FETセンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-062673
公開番号（公開出願番号）：特開平6-249825
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 電流計や電圧計などの測定器や、電流-電圧変換回路や増幅回路などの付属回路を必要とせず、FETセンサ自体で、ガスやイオンなどの濃度を検出するとともに外部に大きな電圧信号として出力することができるFETセンサを提供する。【構成】 P型FET2のドレイン端子とN型FET3のドレイン端子とを点5で接続し、検出すべき物質の濃度に応じた電圧を点5に接続した端子9から出力する。
請求項（抜粋）：
検出すべき物質に感応する感応膜を有するP型FETと、前記検出すべき物質に感応する感応膜を有するN型FETとを備え、前記P型FETのゲート端子および前記N型FETのゲート端子にバイアス電圧を印加し、前記P型FETのドレイン端子と前記N型FETのドレイン端子とを接続し、該接続点から前記検出すべき物質の濃度に応じた電圧を出力するようにしたことを特徴とするFETセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/30 301 X
, G01N 27/30 301 R
