特許
J-GLOBAL ID:200903093857901120

マスクブランクス用基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法、並びに転写マスクの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-096943
公開番号(公開出願番号):特開2004-302280
出願日: 2003年03月31日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】簡便な方法で、所望の平坦度で、且つ基板の周縁部の端部形状を数十nm(20〜30nm程度)以下に制御することが可能なマスクブランクス用基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板材料準備工程(P100)にて、マスクブランクス用基板の大きさよりも大きい基板材料を準備し、研削・研磨工程(P110)にて、前記基板の主表面を研削、研磨することにより、マスクブランクス用基板の大きさに相当する領域において所望の表面粗さと所望の表面形状に仕上げ、切断工程(P120)にて、前記研削・研磨工程を経て得られた前記基板材料を、マスクブランクス用基板の大きさに切断し、さらに形状加工工程(P130)、端面研磨加工(P140)、成膜前洗浄工程(P150)を経て、マスクブランクス用基板を得る。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
マスクブランクス用基板の製造方法であって、 前記マスクブランクス用基板の大きさよりも大きい基板材料を準備する基板材料準備工程と、 前記基板材料の主表面を研削、研磨し、少なくとも前記マスクブランクス用基板の大きさに相当する領域を、所望の表面粗さと所望の表面形状とに仕上げる研削・研磨工程と、 前記研削・研磨工程を経て得られた前記基板材料を、前記マスクブランクス用基板の大きさに切断する切断工程と、を有することを特徴とするマスクブランクス用基板の製造方法。
IPC (3件):
G03F1/08 ,  G03F1/14 ,  H01L21/027
FI (3件):
G03F1/08 Z ,  G03F1/14 A ,  H01L21/30 502P
Fターム (2件):
2H095BC26 ,  2H095BC28
引用特許:
審査官引用 (4件)
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