特許
J-GLOBAL ID：200903093858938019
半導体基体の形成方法及び該基体を用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357746
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196675
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 SOI構造の半導体基体の形成方法において、制御性、生産性、品質、設計の自由度を向上させることにあり、また本発明の方法により形成された基体を用いた半導体装置により、高性能、高機能なデバイスを提供する。【構成】 一方の導電型の半導体基体101の一方の面に、該基体の反対導電型の拡散層102を形成する工程と、前記基体101の他方の面の一部にマスク材103を形成する工程と、前記工程の後、前記基体を有機アルカリ溶液中の電解エッチングにより、前記マスク材に覆われていない部分の前記半導体基体101を、前記拡散層102に達するまでエッチング除去し、該拡散層下を中空の溝部とする工程と、前記工程の後、少なくとも前記溝部の前記拡散層下部に絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基体の形成方法。
請求項（抜粋）：
一方の導電型の半導体基体の一方の面に、該基体の反対導電型の拡散層を形成する工程と、前記基体の他方の面の一部にマスク材を形成する工程と、前記工程の後、前記基体を有機アルカリ溶液中の電解エッチングにより、前記マスク材に覆われていない部分の前記半導体基体を、前記拡散層に達するまでエッチング除去し、該拡散層下を中空の溝部とする工程と、前記工程の後、少なくとも前記溝部の前記拡散層下部に絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基体の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/306
, H01L 21/76
