薄膜を用いた変換素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉信興
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121989
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313123
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】浮動側櫛歯電極と固定側櫛歯電極との間の静電容量を高くする。S/Nの向上。駆動電圧の低減。振動駆動電圧の低減。【解決手段】シリコン基板1上に浮動支持された半導体薄膜5の櫛歯と、それにギャップをおいて噛合う固定電極6,7,16,17の櫛歯の、相対向側面(xz面)に、導電体13a〜13fを接合し、これによりギャップを縮めて櫛歯間静電容量を大きくした、センサ用あるいはマイクロアクチュエ-タ用の機械/電気変換素子。導電体13a〜13fのz方向幅を広げて、櫛歯間静電容量を更に大きくした。

請求項（抜粋）：

xy平面を有する基板,該基板にx,yおよびz方向の少くとも一方向に振動可に支持され基板のxy平面に平行な可動薄膜、および、前記基板に固定され可動薄膜の側面に対向する面を有する固定電極、を備える薄膜を用いた変換素子において、前記可動薄膜の側面に接合した可動側付加電極を備えることを特徴とする、薄膜を用いた変換素子。

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