特許

J-GLOBAL ID：200903093869492454

光エツチング方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-193620
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021397
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 SiO2 系材料層の光エッチングを高速化する。【構成】 S2 F2 /O2 混合ガスにArFエキシマ・レーザ光を照射する。S2 F2 から生成したSFがO2 と反応して中間生成物SFOを生成し、これがSiO2 中のO原子を引き抜いてエッチングを進行させる。F* を解離する段階的反応を経ないので、従来のNF3 /O2 混合ガスから中間生成物NFOを生成させる場合と比べてプロセスを高速化できる。SFOはSiに作用しないので、対下地選択性は無限大となる。SF6/O2 混合ガスを使用する場合には、F* を解離する段階的反応を経るが、光照射時間を延長すれば副生する大量のF* をエッチングに利用できるので、やはり高速化が可能となる。

請求項（抜粋）：

少なくともイオウとフッ素とを構成元素として有する化合物とO2 とを含むエッチング・ガスに光を照射し、生成した化学種を用いて酸化シリコン系材料層をエッチングすることを特徴とする光エッチング方法。