特許

J-GLOBAL ID：200903093871439200

半導体レーザ

発明者： 中村 幸治 ,  八重樫 浩樹 ,  中島 徹人 ,  堀川 英明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181589
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036476
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 発振横モード(垂直方向)が単一になるようになし、発振損失を低減し、高効率、高光出力を得ることができる半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-InGaPクラッド層2、活性層3、p-InGaPクラッド層4を結晶成長した後、ストライプSiO2 マスクを形成し、メサエッチングを行う。次に、メサの両側の電流ブロック層として、p-InGaP層5、n-InGaP層6で埋め込み、SiO2 マスクをエッチングした後、p-InGaP層クラッド7、p+ -GaAsコンタクト層8を成長させる。この時、活性層3上のp+ -GaAsコンタクト層8を、幅1〜3μm程度のストライプ状にエッチングし取り除く。p側オーミック電極9と、n側オーミック電極10を蒸着により形成し、適切な条件でアニールする。

請求項（抜粋）：

クラッド層とコンタクト層を含むBH構造の半導体レーザにおいて、活性層真上に配置されるコンタクト層を、前記活性層の幅と略同じ程度の寸法の幅でストライプ状にエッチングした開口部を備え、垂直方向の導波モードを単一化するようにしたことを特徴とする半導体レーザ。