特許

J-GLOBAL ID：200903093871879110

半導体装置およびその製造方法

発明者： ▲高▼谷 信一郎 ,  内山 博幸 ,  ▲高▼澤 浩幸 ,  山本 清二 ,  持地 広造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-144715
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340105
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造に際し、ドライエッチングを行った半導体表面の特性劣化を抑制する。【構成】半導体装置を気相または真空中でエッチング加工したのち、空気に触れることなく上記加工表面を窒化して、窒化物層3を形成する。

請求項（抜粋）：

III-V族半導体電界効果型トランジスタにおいて、III族元素の窒化物を主成分とする窒化物層が、ゲート電極下部の半導体との界面およびゲート電極とソース、ドレイン低抵抗領域との間のIII-V族半導体表面の両方に、連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 F ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H