特許
J-GLOBAL ID：200903093874331051
炭化珪素半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-292694
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103728
出願日： 2005年10月05日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】炭化珪素を用いた縦型MOSFETのチャネル形成領域でのキャリアの移動度を高め、オン抵抗の低下及び素子特性の向上を可能とする構成を提供する。【解決手段】縦型のSiCMOSFETにおけるチャネル層14が、Alのドープによりp型半導体に構成されると共に、イオン半径が大きく禁制帯幅が狭いGeがドープされたSi0.9Ge0.1C混晶とすることでチャネル領域の格子定数を大きくする。さらにリンや窒素などの不純物をドープして結晶内での電子供給を可能とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極及びゲート酸化膜と、ソース電極と、ドレイン電極とを備えた炭化珪素半導体装置において、
チャネル領域形成部位が、不純物のドープによりn型もしくはp型半導体に構成されると共に、SiC結晶にGeがドープされたSi1-xGexC混晶〔0<x<1〕を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 652M
出願人引用 (2件)
-
特許第3307184号
-
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-118597
出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (5件)
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