特許
J-GLOBAL ID：200903093877013409
結像位置検出装置及び半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
猪熊 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110482
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284414
出願日： 1997年04月10日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】テスト露光による結像面の位置及び形状と十分に一致した測定結果を得ることができる結像位置検出装置を提供する。【解決手段】複数本の光透過域をレチクル8上に形成し、光透過域の像を投影光学系10によって結像し、ナイフエッジ14を結像面に配置して光量を測定し、レチクル8又はナイフエッジ14の走査による光量の変化に基づいてナイフエッジ14の投影光学系の光軸方向の各高さにおける光透過域の空間像の強度分布をそれぞれ求め、各強度分布に基づいて空間像のコントラスト分布を求め、空間像の光軸方向のコントラスト分布に基づいてベストフォーカス高さを求める結像位置検出装置において、空間像のコントラスト分布に基づいてベストフォーカス高さを求めるに際して、投影光学系に残存する収差による計測誤差成分を補正するために、前記コントラスト分布の形状を所望の形状に変形する補正処理を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
互いに平行な複数本の光透過域をレチクル上に形成し、該光透過域の像を投影光学系によって結像し、前記光透過域の像の長手方向と平行な方向にエッジラインを向けたナイフエッジを前記投影光学系の結像面に配置して該ナイフエッジを透過する光量を測定し、前記レチクルを前記投影光学系の光軸と前記光透過域の長手方向との双方に直交する方向に走査し又は前記ナイフエッジを前記投影光学系の光軸と前記エッジラインとの双方に直交する方向に走査し、該走査による前記光量の変化に基づいて前記ナイフエッジの前記光軸方向の各高さにおける前記光透過域の空間像の強度分布をそれぞれ求め、該各強度分布に基づいて前記空間像の光軸方向のコントラスト分布を求め、該空間像の光軸方向のコントラスト分布に基づいてベストフォーカス高さを求める結像位置検出装置において、前記空間像の光軸方向のコントラスト分布に基づいて前記レチクルパターンの前記投影光学系による像のベストフォーカス高さを求めるに際して、前記投影光学系に残存する収差による計測誤差成分を補正するために、前記空間像の光軸方向のコントラスト分布の形状を所望の形状に変形する補正処理を含む結像位置検出装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 526 A
, G03F 7/207 H
