特許
J-GLOBAL ID：200903093881251012
水素ガス検知素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-089767
公開番号（公開出願番号）：特開平11-287781
出願日： 1998年04月02日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 湿度安定性の高い水素ガス検知素子を得ること。【解決手段】 貴金属線1を覆って、酸化インジウムを主成分とする半導体から形成される感応層2を設けてあるガス検知素子であって、感応層2に緻密なシリカ薄膜3を形成してある。
請求項（抜粋）：
貴金属線を覆って、酸化インジウムを主成分とする半導体から形成される感応層を設けてあるガス検知素子であって、感応層に緻密なシリカ薄膜を形成してある水素ガス検知素子。
引用特許：
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