特許

J-GLOBAL ID：200903093883184908

電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法

発明者： 吉田 智則 ,  沼田 吉彦
出願人/特許権者： 徳山曹達株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319278
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160551
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】窒化アルミニウム基板のメタライズ層に、電子部品が信頼性良く実装された電子部品実装窒化アルミニウム基板を製造する。【構成】導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板の導電性メタライズ層に、ホウ素系又はリン系の還元剤を使用した無電解ニッケルメッキを施し、該メッキ面を還元雰囲気下、700〜900°Cの温度で加熱処理し、次いで、上記無電解ニッケルメッキと還元剤の系が異なる還元剤を使用した無電解ニッケルメッキを施した後、形成されるニッケルメッキ面に電子部品を半田付けする電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法である。

請求項（抜粋）：

導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板の導電性メタライズ層に、ホウ素系又はリン系の還元剤を使用した無電解ニッケルメッキを施し、該メッキ面を還元雰囲気下、700〜900°Cの温度で加熱処理し、次いで、上記無電解ニッケルメッキと還元剤の系が異なる還元剤を使用した無電解ニッケルメッキを施した後、形成されるニッケルメッキ面に電子部品を半田付けすることを特徴とする電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/24 ,  H01L 23/15 ,  H05K 3/34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-092598
  
• 特開昭64-021931
  
• 特開昭64-021932