特許
J-GLOBAL ID：200903093886906971
垂直空洞表面放射レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-308707
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200649
出願日： 2003年09月01日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】半導体格子の方向性による酸化速度の差を克服し、円形に近い酸化口径を有する垂直空洞表面放射レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に積層形成された下部反射層と、前記下部反射層上に形成され、光を生成する活性層と、前記活性層上に形成され、電流の流れをガイドする開口を有するように形成される絶縁領域と、前記絶縁領域上に積層形成される上部反射層と、前記上部反射層、活性層、及び下部反射層の少なくとも一部分に引込形成され、前記絶縁領域を形成するための酸化可能層の酸化速度を調節するために所定個数のセグメントに分けたトレンチを有するように形成されるトレンチと、前記トレンチに形成される絶縁幕と、前記上部反射層上に形成される上部電極と、前記基板下部に形成される下部電極とを含んで構成されることを特徴とする垂直空洞表面放射レーザを提供する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に積層形成された下部反射層と、
前記下部反射層上に形成され、光を生成する活性層と、
前記活性層上に形成され、電流の流れをガイドする開口を有するように形成される絶縁領域と、
前記絶縁領域上に積層形成される上部反射層と、
その深さが前記上部反射層、活性層、及び下部反射層の少なくとも一部分まで拡張形成され、前記絶縁領域を形成するための酸化可能層の酸化速度を調節するために形成される所定個数のセグメントに分けたトレンチのトレンチと、
前記トレンチに形成される絶縁幕と、
前記上部反射層上に形成される上部電極と、
前記基板下部に形成される下部電極と、を含んで構成されることを特徴とする垂直空洞表面放射レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB02
, 5F073AB17
, 5F073CA03
, 5F073CB02
, 5F073DA21
, 5F073EA20
, 5F073EA28
