特許

J-GLOBAL ID：200903093893217103

AC TFEL装置用の青色放射リン光物質層のマルチソース反応性堆積方法

発明者： カルル-オットー ヴェルタウス ,  ティー アヒム オベラッカー ,  セイ-シン サン ,  リチャード ティー トゥエング ,  ライナー ハー マッハ ,  ハンス-ヴェルナー ショック ,  ランデール シー ウェントロース
出願人/特許権者： プレイナー システムス インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025408
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008188
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 フラットパネルホウケイ酸塩ガラス基板上へのAC TFEL装置用の結晶性青色放射リン光物質層の改良製造方法を提供する。【構成】 次の一般式:MIIMIII 2 X4 :RE(式中、MIIはマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムより成る群から選ばれる第II族の金族;MIII は、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから成る群より選ばれる第III 族の金属;Xはセレン及びイオウから成る群より選ばれ;REはセリウム及びユーロピウムから成る群より選ばれる希土類活性剤ドーパントを含む)で表わされるリン光物質層を含むAC TFEL装置用のリン光物質層を製造するにあたり、上記基板を400°C〜800°Cの温度に加熱し、上記第II族の金属又は上記第III 族の金属の堆積ソース化学物質の少なくとも1種が化合物である堆積ソース化学物質の1種以上を堆積させることにより上記加熱基板上に上記リン光物質層を結晶体の形態で形成する。

請求項（抜粋）：

透明な基板及び次の一般式:MIIMIII 2 X4 :RE(式中、MIIはマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムより成る群から選ばれる第II族の金族;MIII は、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから成る群より選ばれる第III 族の金属;Xはセレン及びイオウから成る群より選ばれ;REはセリウム及びユーロピウムから成る群より選ばれる希土類活性剤ドーパントを含む)で表わされるリン光物質層を含むAC TFEL装置用のリン光物質層を製造するにあたり、上記基板を400°C〜800°Cの温度に加熱し、上記第II族の金属又は上記第III 族の金属の堆積ソース化学物質の少なくとも1種が化合物である堆積ソース化学物質の1種以上を堆積させることにより上記加熱基板上に上記リン光物質層を結晶体の形態で形成する工程を含むことを特徴とするAC TFEL装置用のリン光物質層の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/203 ,  H05B 33/10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 蛍光体薄膜とその製造方法および薄膜ELパネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-263815   出願人：松下電器産業株式会社