ポリカルボシランから生じた低誘電率ポリオルガノシリコンコーティング

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-502153
公開番号（公開出願番号）：特表2003-501518
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2003年01月14日
要約：

【要約】ポリオルガノ誘電コーティングが、特定のポリカルボシラン類を熱又は高エネルギー処理して、低k誘電特性を有する架橋ポリオルガノシリコンコーティングを生じさせる。その熱プロセスは、多段階の継続的に増加する温度加熱段階を包含している。その製造されたポリオルガノシリコンポリマーは、誘電内結合物質及び半導体装置における導線用のフィルムコーティングとして使用される。これらのポリオルガノフィルムコーティングは、比較的熱安定性の追加特徴及び基体表面への優れた付着性を有する。

請求項（抜粋）：

電気絶縁性のポリオルガノシリコン物質の製造方法であつて、 a) 次の一般式のポリカルボシランを準備し:【化1】 (R<SB>1</SB>、R<SB>7</SB>及びR<SB>10</SB>の各々が別個に置換又は非置換アルキレン、シクロアルキレン、又はアリーレン基を表し、 R<SB>2</SB>、R<SB>3</SB>、R<SB>4</SB>、R<SB>5</SB>、R<SB>8</SB>及びR<SB>9</SB>の各々が別個に水素原子又は有機基を表し、 R<SB>6</SB>がオルガノシリコン、シラニル(silanyl)、シロキシル(siloxyl)、又はオルガノ基を表し、 x、y、z及びwが[10<x+y+z+w<100,000]の条件を満たし、そして z及びwが一まとめにして又は別個に0であることができる)、 b) ポリカルボシラン被覆基体を制御された条件下で熱又は高エネルギー源にもたらし、そのポリカルボシランの相互作用(interaction)及び架橋を生起させて、4以下の誘電率を有するポリオルガノシリコン物質を形成することからなる方法。

IPC (3件)：

C09D183/16 , C08G 77/60 , H01L 21/312

FI (3件)：

C09D183/16 , C08G 77/60 , H01L 21/312 C

Fターム (16件)：

4J035JA02 , 4J035JB01 , 4J035JB02 , 4J035LB01 , 4J038DL171 , 4J038LA05 , 4J038NA12 , 4J038NA14 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AH02 , 5F058AH03

前のページに戻る