半導体ダイヤモンドの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186079
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024991
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】【目的】 p型、n型の半導体ダイヤモンドを得るため、イオン打ち込み後の損傷を回復できる効率的な熱処理法を与える。【構成】イオン打ち込みされたダイヤモンド結晶1にレーザー光線2を照射し熱処理する。イオン打ち込みされたダイヤモンドは多くの損傷(格子欠陥)を含みこの欠陥の部分でレーザー光線が吸収され、選択的に加熱される。

請求項（抜粋）：