特許

J-GLOBAL ID：200903093898733428

半導体レーザ素子

発明者： 菅 康夫 ,  細田 昌宏 ,  ▲高▼橋 向星 ,  角田 篤男 ,  谷 健太郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193875
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045683
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ素子の利得領域よりも光の分布幅を広げる。これにより、自励発振を生じさせて、低雑音特性を実現する。【構成】 基板11上に、n型AlInPクラッド層13、GaInP活性層14、p型AlInPクラッド層15を順に設ける。クラッド層15の上部にリッジ20を形成するとともに、リッジ20の両側にn型GaAs電流狭窄層19を設ける。リッジ20の側面と電流狭窄層19との間に、上部クラッド層15と略等しい平均屈折率を有する多層成長層18を設ける。多層成長層18は、上部クラッド層15よりも大きい屈折率を有するAl0.4Ga0.6As層と、上部クラッド層15よりも小さい屈折率を有するAlAs層とを複数積層して構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、所定の組成からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を順に設け、上記上部クラッド層の上部にストライプ状のリッジを形成するとともに、このリッジの両側に電流狭窄層を設けて、上記活性層のうち上記リッジの下に相当する部分がレーザ発振するようにした半導体レーザ素子において、上記リッジの側面と上記電流狭窄層との間に、上記上部クラッド層よりも大きい屈折率を有する半導体層と上記上部クラッド層よりも小さい屈折率を有する半導体層とを複数積層してなり、上記上部クラッド層と略等しい平均屈折率を有する多層成長層を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。