特許

J-GLOBAL ID：200903093899586518

固体撮像素子

発明者： 椎葉 智宏
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269722
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078826
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 フォトセンサの感度向上と垂直転送レジスタのダイナミックレンジ向上を両立する。【解決手段】 垂直転送レジスタの転送電極13が、フォトセンサの受光領域19の深部に埋め込まれており、垂直転送レジスタの垂直電荷転送領域16もフォトセンサの受光領域19の深部に形成されている。フォトセンサの受光領域19に蓄積した信号電荷は、読み出しゲート領域18を介して単結晶Si基板11の深さ方向に読み出される。このような構造により、受光領域19も垂直電荷転送領域16もほぼ単位画素(ユニットセル)とほぼ同等の大きさまで面積を拡大することができるようになり、感度向上とダイナミックレンジ向上を同時に達成することができることになる。さらに、転送電極13が埋め込まれていることで、受光領域19の両側の構造物による感度低下の問題も解決できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に2次元マトリクス状に配列されてそれぞれ受光量に応じた信号電荷を生成する複数のフォトセンサと、前記フォトセンサに蓄積された信号電荷をインタライン転送方式またはフレームインタライン転送方式によって転送する垂直電荷転送領域とを設けた固体撮像素子において、前記垂直電荷転送領域及びその転送電極が半導体基板中の前記フォトセンサの受光領域の深部に埋め込み形成され、半導体基板中で信号電荷の転送を行うようにした、ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/148

FI (2件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B

Fターム (16件)：

4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA12 ,  4M118FA28 ,  4M118GA02 ,  4M118GD03 ,  4M118GD07 ,  5C024CX41 ,  5C024CX43 ,  5C024CX54 ,  5C024GY04 ,  5C024GY05