特許

J-GLOBAL ID：200903093903214710

半導体装置及びこれに用いられる複合金属材料

発明者： 栗原 保敏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358665
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183234
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】低コストで高信頼の半導体装置を得る。【解決手段】半導体素子が搭載される支持部材(125)の材料を、熱伝導率が高い第1金属(125A)のマトリック中に熱膨張率が小さな第2金属の粉末(125B)を分散した複合金属材料とする。【効果】半導体素子の放熱が高くなるとともに熱歪が軽減される。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子が搭載される支持部材と、を備え、前記支持部材の材料は、第1金属のマトリックス中に、第2金属の粉末を分散した複合金属材料であり、前記第1金属は前記第2金属よりも熱伝導率が高く、前記第2金属は前記第1金属よりも熱膨張率が小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/373 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 M ,  H01L 25/04 C

Fターム (4件)：

5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03