窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大澤斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-027981
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229638
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】低密度欠陥領域内に高密度欠陥領域を周期的に有するという半導体基板の特質を利用して、リーク電流の発生を抑制した構成の窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】本窒化物系半導体レーザ素子10は、n型GaN基板12上に、n型AlGaNクラッド層14、n型GaN第1光ガイド層16、InGaN活性層18、p型InGaN第2光ガイド層20、p型AlGaNクラッド層22、及びp型GaNコンタクト層24を、順次、積層した積層構造を備えている。p型クラッド層の上層部及びp型コンタクト層は、一方向にリッジストライプ状に延びるリッジストライプ部26として形成され、リッジストライプ部26の両脇は絶縁膜28で被覆されている。リッジストライプ部は、高密度欠陥領域30間に形成されている。p側電極32は、高密度欠陥領域間をリッジストライプ部に沿って延在している。n側電極34は、GaN基板の裏面上にほぼ全面に設けられた電極層から高密度欠陥領域12aと接触しないように一部を切り欠いてなる電極層として形成されている。

請求項（抜粋）：

周囲の低密度欠陥領域より結晶欠陥密度が高い高密度欠陥領域が周期的な基板面上配列で基板を貫通している半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、積層構造を挟む1対の電極の一方の電極は基板裏面の低密度欠陥領域上に設けられ、他方の電極は基板の低密度欠陥領域上方の積層構造上に設けられ、かつ活性領域が1対の電極で挟まれた積層構造内に形成されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01S 5/042 612 , H01L 33/00 , H01S 5/22 , H01S 5/323 610

FI (5件)：

H01S 5/042 612 , H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01S 5/22 , H01S 5/323 610

Fターム (19件)：

5F041AA21 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA83 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA61 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA30 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-035638 出願人：シャープ株式会社
窒化物半導体発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-212932 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体基板および半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-056109 出願人：株式会社リコー

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