特許
J-GLOBAL ID:200903093904066501
圧電磁器組成物
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-341563
公開番号(公開出願番号):特開2002-145669
出願日: 2000年11月09日
公開日(公表日): 2002年05月22日
要約:
【要約】【課題】 結合係数Kt、機械的品質係数Qmの大きいBi2SrNb2O9系の圧電磁器組成物を提供することを目的とする。【解決手段】 Bi2(Sr1-XMX)Nb2O9で表されるビスマス層状化合物(但しMはYもしくはLaで、02に換算して1.5wt%以下(0を除く)の量を添加した圧電磁器組成物である。
請求項(抜粋):
一般式がBi2(Sr1-XMX)Nb2O9で表されるビスマス層状化合物を主成分とし(但しMはYもしくはLaで、02に換算して1.5wt%以下(0を除く)の量を含有する圧電磁器組成物。
IPC (2件):
C04B 35/495
, H01L 41/187
FI (2件):
C04B 35/00 J
, H01L 41/18 101 J
Fターム (8件):
4G030AA09
, 4G030AA12
, 4G030AA13
, 4G030AA20
, 4G030AA22
, 4G030AA25
, 4G030AA43
, 4G030BA10
引用特許:
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