特許
J-GLOBAL ID:200903093906254976

クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-208542
公開番号(公開出願番号):特開2007-023349
出願日: 2005年07月19日
公開日(公表日): 2007年02月01日
要約:
【課題】 新規なクラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子の提供。【解決手段】 下記組成式(1)で表されるクラスレート化合物及びその焼結体である熱電変換素子。 Ba8AuaGe46-a (0<a<16/3) (1) 本発明のクラスタレート化合物は、AUおよびGeの配合比率を変えることによりP型半導体としての性質又はN型半導体としての性質を示す。 具体的には0<a<5の場合にN型半導体としての性質を示し、5<a<16/3の場合にP型半導体としての性質を示す。なおa=5の場合、温度条件により、N型又はP型半導体の性質を呈する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記組成式(1)で表されるクラスレート化合物。 Ba8AuaGe46-a (0<a<16/3) (1)
IPC (5件):
C22C 28/00 ,  H01L 35/20 ,  H01L 35/34 ,  C22C 1/04 ,  H02N 11/00
FI (5件):
C22C28/00 B ,  H01L35/20 ,  H01L35/34 ,  C22C1/04 E ,  H02N11/00 A
Fターム (6件):
4K018AA40 ,  4K018BB04 ,  4K018EA02 ,  4K018EA13 ,  4K018EA22 ,  4K018KA32
引用特許:
出願人引用 (1件)

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