特許
J-GLOBAL ID:200903093906254976
クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-208542
公開番号(公開出願番号):特開2007-023349
出願日: 2005年07月19日
公開日(公表日): 2007年02月01日
要約:
【課題】 新規なクラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子の提供。【解決手段】 下記組成式(1)で表されるクラスレート化合物及びその焼結体である熱電変換素子。 Ba8AuaGe46-a (0<a<16/3) (1) 本発明のクラスタレート化合物は、AUおよびGeの配合比率を変えることによりP型半導体としての性質又はN型半導体としての性質を示す。 具体的には0<a<5の場合にN型半導体としての性質を示し、5<a<16/3の場合にP型半導体としての性質を示す。なおa=5の場合、温度条件により、N型又はP型半導体の性質を呈する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記組成式(1)で表されるクラスレート化合物。
Ba8AuaGe46-a (0<a<16/3) (1)
IPC (5件):
C22C 28/00
, H01L 35/20
, H01L 35/34
, C22C 1/04
, H02N 11/00
FI (5件):
C22C28/00 B
, H01L35/20
, H01L35/34
, C22C1/04 E
, H02N11/00 A
Fターム (6件):
4K018AA40
, 4K018BB04
, 4K018EA02
, 4K018EA13
, 4K018EA22
, 4K018KA32
引用特許:
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