特許
J-GLOBAL ID：200903093906563103
圧電体複合基板および表面弾性波素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072267
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274883
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 良質な圧電体膜と所望の線幅の電極とを有し良好な周波数温度特性を有する表面弾性波素子およびこれを実現するのに好適な圧電体複合基板を提供する。【解決手段】 単結晶のSiウェハ11の上に順次に硬質膜12、圧電体膜13および絶縁体膜14が形成され、その絶縁体膜14の上に櫛形の電極15が形成されており、更にこれらの上にSiO2膜16が形成されている。硬質膜12は、ダイヤモンド、窒化ホウ素およびサファイアの何れかからなる。圧電体膜13は、ZnO、LiTaO3、LiNbO3およびAlNの何れかからなる。絶縁体膜14は、SiN、SiOxNy、SiO2、SiOxFyおよびAl2O3の何れかからなる。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面弾性波を伝搬させる硬質膜が表面に形成された基板と、前記硬質膜の上に形成された圧電体膜と、前記圧電体膜の上に形成された厚みが2nm〜60nmの絶縁体膜とを備えることを特徴とする圧電体複合基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03H 9/145 C
, H01L 41/08 C
