特許
J-GLOBAL ID：200903093908034914
高電子移動度トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316729
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163598
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 高電子移動度トランジスタに関し、ヘテロ接合を生成する半導体層間に原子の相互拡散を発生させることなく、二次元キャリヤ・ガス層に於けるシート・キャリヤ濃度を高めることを可能にしようとする。【構成】 半絶縁性GaAs基板21に順に積層されたバッファ層22及びi-In0.2 Ga0.8 Asキャリヤ走行層23及びn-In0.2 Ga0.8 Asキャリヤ走行層24及びキャリヤ走行層24と同じ構成原子のi-In0.2 Ga0.8 Asスペーサ層25及びキャリヤ走行層23とヘテロ接合生成可能なn-InGaPキャリヤ供給層27と同じ構成原子のi-InGaPスペーサ層26及びキャリヤ供給層27及びn-GaAsキャップ層28と、キャリヤ供給層27に電位を与えるゲート電極29と、キャップ層28上に在ってキャリヤ走行層24とキャリヤ走行層23の両方に導電接続されたソース電極30とドレイン電極31を備える。
請求項（抜粋）：
半絶縁性化合物基板上に順に積層形成された化合物半導体バッファ層及びアンドープ化合物半導体キャリヤ走行層及び不純物含有化合物半導体キャリヤ走行層及びその不純物含有化合物半導体キャリヤ走行層の構成原子と同じ構成原子からなるアンドープ化合物半導体スペーサ層及び前記アンドープ化合物半導体キャリヤ走行層とヘテロ接合生成可能な不純物含有化合物半導体キャリヤ供給層の構成原子と同じ構成原子からなるアンドープ化合物半導体スペーサ層及び前記不純物含有化合物半導体キャリヤ供給層及び不純物含有化合物半導体キャップ層と、前記不純物含有化合物半導体キャリヤ供給層に電位を与えるゲート電極と、前記不純物含有半導体キャップ層上に在って前記不純物含有化合物半導体キャリヤ走行層及びアンドープ化合物半導体キャリヤ走行層と導電接続されたソース及びドレイン各電極とを備えてなることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
