特許

J-GLOBAL ID：200903093909515762

多孔性シリカ薄膜

発明者： 花畑 博之 ,  井岡 崇明
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (1件)： 武井 英夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300719
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122611
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】 低吸湿性で、機械的強度の優れた多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】 多孔性シリカの空孔率が高くて、空孔径がナノメーターサイズであり、さらに構造中に特定量のSi-CH3 結合をもち、かつCH3 基の運動性が適度に抑制された多孔性シリカ薄膜。

請求項（抜粋）：

シリカ構造中に空孔を有する多孔性シリカ薄膜であって、空孔率が30〜80%、最大孔径が10nm以下であり、構造中に緩和時間が0.5秒〜10秒であるSi原子と結合したCH3 基を2重量%以上含有し、膜厚が0.1μmから10μmであることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。

IPC (3件)：

C01B 33/12 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

C01B 33/12 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/90 K

Fターム (38件)：

4G072AA28 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072CC13 ,  4G072FF09 ,  4G072GG01 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072KK01 ,  4G072LL06 ,  4G072LL07 ,  4G072LL11 ,  4G072LL15 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072PP17 ,  4G072RR05 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01 ,  4J038AA011 ,  4J038HA441 ,  4J038JC32 ,  4J038NA07 ,  4J038NA11 ,  4J038NA12 ,  4J038NA14 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F033GG00 ,  5F033GG02 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX12