特許

J-GLOBAL ID：200903093925134418

半導体装置及びその製造方法

発明者： 末永 淳
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125009
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303141
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 酸化膜を十分にエッチングしてもゲート酸化膜のエッチングを防止し、コンタクト補償工程を不要にし、素子活性領域の合わせ余裕も不要にする。【解決手段】 SiO2 膜36とこのSiO2 膜36を覆っているSi3 N4 膜37、41とを側壁絶縁膜が有しており、SiO2 膜32の端縁部32aをSi3 N4 膜41が覆っている。このため、ゲート酸化膜であるSiO2 膜34へのエッチング薬液の浸潤をSi3 N4 膜37、41で防止することができる。また、コンタクト孔46を開孔する際に合わせずれが生じても、Si3 N4 膜41がストッパになって、端縁部32aのエッチングが防止される。

請求項（抜粋）：

ゲート電極の側面と前記ゲート電極の側部における半導体基板の表面とを覆う側壁絶縁膜が、少なくとも前記表面に接している酸化膜と、この酸化膜を覆っている窒化膜とを有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/28 E ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 R