プラズマ装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065231
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260596
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】E×Bドリフトによるプラズマ密度の不均一を解消して、プラズマ密度の均一性を向上したプラズマ装置を提供することにある。【解決手段】マイクロ波導波管9の入射窓の近傍に磁石1a,...,1dを配置してプラズマを生成する。磁石1の発生する磁束密度ベクトルBとプラズマ中に発生する電界ベクトルEとの外積ベクトルE×Bの方向が、被処理物体の方向若しくはイオンビームの引き出し方向を向くように、磁石1a,...,1dを配置し、被処理物体の方向若しくはイオンビームの引き出し方向にプラズマを輸送する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波によりプラズマを生成するプラズマ装置において、マイクロ波の導入部近傍に磁石を配置してプラズマを生成し、この磁石の発生する磁束密度ベクトルBとプラズマ中に発生する電界ベクトルEとの外積ベクトルE×Bの方向が、被処理物体の方向若しくはイオンビームの引き出し方向を向くように、上記磁石を配置し、被処理物体の方向若しくはイオンビームの引き出し方向にプラズマを輸送することを特徴とするプラズマ装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (5件)：

H05H 1/46 C , C23C 16/50 E , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

Fターム (20件)：

4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030JA02 , 5F004AA01 , 5F004BA11 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB14 , 5F004BB29 , 5F004BD04 , 5F045AA10 , 5F045BB01 , 5F045DP02 , 5F045EB02 , 5F045EH01 , 5F045EH03 , 5F045EH16 , 5F045EH17 , 5F045EH19

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