特許
J-GLOBAL ID：200903093934164192
水素分離膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291389
公開番号（公開出願番号）：特開平5-123548
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：
【要約】【目的】 水素分離膜の製造方法に関する。【構成】 金属多孔体を基材とし、この基材表面に第一層に電気Niめっき、第二層に電気Pdめっきを行った後、金属多孔体の裏面から真空吸引方式により無電解Pdめっきを行うか、又は、電気Pdめっきの後にガラスビーズ等によりPdめっき皮膜表面をブラストを行いPdめっきに発生する微細な割れを圧縮衝撃で変形させ表面に貫通する割れの数を減少させ、引き続き上記真空吸引方式で無電解Pdめっきを行って皮膜最表面の欠陥(割れ、気孔)を封じて無気孔の膜を形成する方法。
請求項（抜粋）：
金属多孔体表面にPd水素分離膜を形成する方法において、先ず金属多孔体表面に電気Niめっきを行い、次に同Niめっき層上に電気Pdめっきを行った後、上記金属多孔体の裏面から真空吸引しつつ、上記電気Pdめっき層上に無電解Pdめっきを行うことを特徴とする水素分離膜の製造方法。
IPC (2件)：
B01D 71/02 500
, C01B 3/56
