特許

J-GLOBAL ID：200903093938864539

半導体素子および製造方法

発明者： 藤原 正敏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060040
公開番号（公開出願番号）：特開2000-151021
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 水平方向のドライエッチング耐性を考慮したパターン形態で第3の絶縁膜を形成し、高速応答が可能なリッジ型半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に活性層、クラッド層、電流ブロック層およびコンタクト層を含むリッジをストライプパターン形態で形成し、リッジのストライプパターン間に有機誘電体層を形成した後、リッジに沿って生じるオーバーエッチングを回避するように、基本パターン(a)およびリッジに沿って突出したエッチング保護部位(b)から構成される形態で絶縁膜を形成し、これをマスクとして、有機誘電体層を酸素エッチングした後、絶縁膜を除去し、リッジおよび有機誘電体層上に表面電極および半導体基板のリッジを形成していない面に裏面電極をそれぞれ形成した後、リッジおよび表面電極を含む部分を、素子境界線で分離する。素子境界線が半導体基板のへき開面に相当する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、活性層およびクラッド層を順次積層し、前記活性層およびクラッド層を挟み込むように電流ブロック層を設けた後、前記クラッド層および電流ブロック層の上にコンタクト層を形成して成るリッジをストライプパターン形態で形成すること、該リッジのストライプパターン間を埋めかつ該リッジ側面と密着するように有機誘電体層を形成すること、該リッジに沿って生じるオーバーエッチングを回避するように、該リッジに沿って突出したエッチング保護部位(b)を有する絶縁膜を用いて該リッジと有機誘電体層を被覆すること、前記絶縁膜をマスクとして、前記有機誘電体層を酸素エッチングすること、前記絶縁膜を除去すること、該リッジおよび前記有機誘電体層上に表面電極を形成し、および前記半導体基板の該リッジを形成していない面に裏面電極を形成すること、および該リッジおよび前記表面電極を含む部分を、該リッジの各ストライプパターンと平行および垂直に設けられた素子境界線で分離することであって、該素子境界線が前記半導体基板のへき開面に相当することを含む半導体素子の製造方法であって、前記絶縁膜が絶縁膜基本パターン(a)および前記エッチング保護部位(b)から構成され、該基本パターン(a)の端部と前記リッジとの各接点を理想接点とすると、前記エッチング保護部位(b)が、前記基本パターン(a)の端部、該リッジおよび素子境界線で区切られた領域内に、該理想接点から少なくとも17.5〜45μmの距離にある有機誘電体層を被覆すること、および前記エッチング保護部位(b)の端部が基本パターン(a)の端部と密着させて形成されることを特徴とする半導体素子の製造方法。

Fターム (5件)：

5F073AA22 ,  5F073CB11 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073EA28