特許

J-GLOBAL ID：200903093943209808

金配線の製造方法

発明者： 山田 義明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287215
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140399
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】表面が高融点金属に覆われた金配線において、配線間の短絡を抑制する金配線の製造方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜2を介してシリコン基板1上にTiW3,金4,および金5からなる第1の金配線を形成し、BCl3 プラズマによりシリコン酸化膜2の表面を処理する。WF6 とSH4 とによる減圧化学気相成長法により、第1の金配線の表面に選択的にタングステン6を成長させる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に金配線を形成する工程と、塩素を含む雰囲気のプラズマにより前記絶縁膜表面を処理する工程と、前記金配線の表面に化学気相成長法により選択的に高融点金属を成長する工程と、を有することを特徴とする金配線の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-278827