特許
J-GLOBAL ID：200903093954672712
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022966
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235665
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 従来のFETよりチャネル内へのキャリアの閉じ込め効果が高く、移動度が高く、かつ高抵抗なバッファ層を備えたFETを提供する。【構成】 InAlAs層と、FeがドーピングされInAlAsよりも電子親和力が大きい半導体層との積層構造を少なくとも3層有するバッファ層を具備したFET。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたチャネル層とを有する電界効果トランジスタであって、前記バッファ層は、InAlAsからなる第1の半導体層とInAlAsよりも電子親和力が大きく且つFeがドーピングされた第2の半導体層が交互に3層以上積層されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
