SiC半導体基板とその製造方法及びSiC半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295028
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101035
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】高耐圧素子を作るためのフローティングドーピング層を有するSiC半導体基板を、安定に再現性良く形成する。【解決手段】 SiC半導体基板の製造方法において、n型で低抵抗のSiC基板20の上に、n型で高抵抗の第1のSiC膜21をエピタキシャル成長した後、第1のSiC膜21上に複数の開口部を有するレジスト22を形成し、このレジスト22の開口部に露出する第1のSiC膜21上にp型の第2のSiC膜23をエピタキシャル成長し、次いでレジスト22を除去して表面処理を施した後に、n型で高抵抗の第3のSiC膜24をエピタキシャル成長する。さらに、第2のSiC膜23と第3のSiC膜24の形成を繰り返してフローティングドーピング層を複数層形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型又は第2導電型のSiC基板と、この基板上に形成された第1導電型の第1のSiC膜と、この第1のSiC膜上に選択的に形成された第2導電型の第2のSiC膜と、第1及び第2のSiC膜上に形成されて表面平坦化された第1導電型の第3のSiC膜とを具備してなることを特徴とするSiC半導体基板。

IPC (9件)：

H01L 29/861 , C23C 16/42 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , H01L 21/336 , H01L 29/161 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/872

FI (9件)：

C23C 16/42 , H01L 21/02 B , H01L 21/205 , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 T , H01L 29/91 F , H01L 29/163 , H01L 29/48 D , H01L 29/78 658 E

Fターム (32件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA18 , 4K030BA37 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4M104AA03 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC15 , 5F045AD18 , 5F045AE19 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045DA52 , 5F045DB02 , 5F045EK02

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-140546 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体及び半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-245543 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平2-130965

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