特許

J-GLOBAL ID：200903093956692656

光結合半導体装置

発明者： 中川 剛 ,  上嶋 啓史 ,  犬塚 肇
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262145
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083012
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】モノリシック構造のホトカップラにおいて、チャネル間や入出力間を完全に光的にも電気的に絶縁分離することで、誤動作やクロストークを防止する。【解決手段】支持基板1と、支持基板上に形成された複数の半導体領域41〜44と、複数の半導体領域の相互間に形成され、隣合う半導体領域を電気的に絶縁分離し、半導体領域の半導体の屈折率よりも低い屈折率を有する絶縁分離層31、32と、複数の半導体領域の内の任意の一つの半導体領域に形成された光を発する発光素子5と、複数の半導体領域の内の発光素子が形成される半導体領域とは別の半導体領域に形成された発光素子の発した光を受光する受光素子6とを有し、発光素子の光出射面と受光素子の光受光面とを接続する光導波路7とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板上に形成された複数の半導体領域と、前記複数の半導体領域の相互間に形成され、隣合う前記半導体領域を電気的に絶縁分離し、前記半導体領域の半導体の屈折率よりも低い屈折率を有する絶縁分離層と、前記複数の半導体領域の内の任意の一つの前記半導体領域に形成された光を発する発光素子と、前記複数の半導体領域の内の前記発光素子が形成される前記半導体領域とは別の半導体領域に形成された前記発光素子の発した光を受光する受光素子とを有し、前記発光素子の光出射面と前記受光素子の光受光面とを接続する光導波路とを有することを特徴とする光結合半導体装置。