半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-123871
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335747
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】半導体装置内に形成された金属配線間の容量を低減し、且つ、リーク電流を防止することで、半導体装置の高速動作を可能とする。【構成】半導体装置の配線間の静電容量を減少させる空隙(3)とリーク電流防止用酸化膜(8)を金属配線相互間の溝部に設けることとした。

請求項（抜粋）：

半導体装置の多層配線構造であって、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された複数の第1の導電手段と、この導電手段及び導電手段相互の間の溝部を覆う絶縁膜と、該溝部に位置する空隙と、前記第1の導電手段の上に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成された第2の導電手段とを含む多層配線構造の半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

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