特許

J-GLOBAL ID：200903093963065748

MOSFETトランジスタをトンネル効果プログラミングする方法及び回路

発明者： ブルーノ・リッコ ,  マッシモ・ランツォーニ ,  ルチアノ・ブリオッツォ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083262
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122081
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 MOSFETトランジスタを簡単で高精度にプログラミングする回路を得ることである。【構成】 制御端子(CG)、ソース端子(S)、ドレイン端子(D)及び浮遊ゲート領域(FG)を有するMOSFETトランジスタ(1)をトンネル効果プログラミングする回路は、前記ドレイン端子に接続可能であり、前記浮遊ゲート領域の電荷状態に依存する電荷状態を有するコンデンサ(3)と、このコンデンサ(3)を或る充電電圧(V1)まで充電するための第1のバイアス手段(5)と、前記制御端子に接続され、前記浮遊ゲート領域が所望の電荷レベルに達する前にトンネル電流を流させるが、前記所望の電荷レベルに達した時に前記トンネル電流を流させなくするための第2のバイアス手段(6,8)とを備えている。

請求項（抜粋）：

制御端子(CG)、一対のソース及びドレイン端子(S,D)、並びに絶縁層によって前記一対の端子から絶縁された浮遊ゲート領域(FG)を有するMOSFETトランジスタをトンネル効果プログラミングする方法において、ブートストラップド・コンデンサ(3)であって、その電荷状態が前記浮遊ゲート領域(FG)の電荷状態に依存する前記ブートストラップド・コンデンサ(3)を前記一対の端子のうちの第1の端子(D)に接続するステップと、前記浮遊ゲート領域が所望の電荷レベルに達する前に、前記ブートストラップド・コンデンサが、前記第1の端子(D)と前記浮遊ゲート領域の間で且つ前記絶縁層を通してトンネル電流(ITUN)を通過させると共に、その電荷状態を変え従って前記所望の電荷レベルに達する時に前記トンネル電流の通過を自動的にカットオフするように、前記MOSFETトランジスタの前記絶縁層をバイアスするステップと、を含むことを特徴とするMOSFETトランジスタをトンネル効果プログラミングする方法。