特許

J-GLOBAL ID：200903093965852402

半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 健一 ,  上田 兵衛
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284384
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110972
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 アウターリードを保持するために形成した絶縁樹脂タイバーを半導体チップの樹脂封止後に効率よく除去する方法を提供する。【解決手段】 リードフレーム11のアウターリード12の部分に設けられている絶縁樹脂タイバー14の外側のアウターリード12の部分にアウターリード12の幅より小さく、かつリードの長手方向に絶縁樹脂タイバー14の幅より大きい寸法を有する狭窄部12aを設けたリードフレームを用いて、高圧水流17をその絶縁樹脂タイバー14の上下より噴射してアウターリード12の表面に付着している絶縁樹脂タイバー14aを除去すると同時にアウターリード12の間に挟まれて残存している絶縁樹脂タイバー14bを、高圧水流17を噴射して隣り合うアウターリードの狭窄部12a間にある空間部15に移動させることにより落下させて除去する。

請求項（抜粋）：

リードフレームのアウターリード部分を絶縁樹脂からなるタイバーで連結する工程と、前記リードフレームの所定の位置に半導体チップを搭載し、前記半導体チップの電極と前記リードフレームのインナーリードとを接続した後、前記半導体チップをモールド樹脂により樹脂封止する工程と、前記絶縁樹脂タイバーに高圧水流を噴射して除去する工程とを有し、前記高圧水流の噴射により前記絶縁樹脂タイバーを除去する工程を次の工程で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。(1) 前記リードフレームとして前記タイバーが設けられている部分の外側の前記アウターリードに前記タイバーが設けられているアウターリードの線幅より小さく、かつリードの長手方向に前記タイバーの幅より大きい狭窄部を設けたものを用い、高圧水流を前記タイバーの上下より噴射して前記アウターリードの表面に付着している前記タイバーを粉砕除去する。(2) (1)の工程を行うと同時に少なくとも前記アウターリードの間に挟まれて残存している前記タイバーを、隣り合うアウターリードの前記狭窄部によって形成されている空間部に高圧水流の噴射によって移動させることにより落下させて除去する。

Fターム (5件)：

5F067AA09 ,  5F067BC05 ,  5F067CC05 ,  5F067CC07 ,  5F067DE19