特許
J-GLOBAL ID:200903093966618551

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-150357
公開番号(公開出願番号):特開2000-340490
出願日: 1999年05月28日
公開日(公表日): 2000年12月08日
要約:
【要約】【課題】処理液による基板処理の前工程において基板の熱履歴を容易に管理できるできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】化学増幅型レジストが塗布された基板Wの現像処理に先立って行なわれるプリウェット処理において、プリウェット処理に使われる常温純水の供給の終わりにおいて温調純水が基板Wに供給され基板温度が制御される。制御部95により純水供給系8から温調純水供給系9に切り換えられ、温調純水がノズルアーム53内を流通し純水供給ノズル51から基板W上に供給される。この基板温度が所望値に制御された基板が次工程に移行されるので、現像後のパターンの線幅のバラツキを抑制する。
請求項(抜粋):
保持された基板に処理液を塗布して処理する工程を有する基板処理方法において、前記処理液による処理工程は、少なくとも工程の終わりにおいて温調された処理液を供給することで基板温度を調整する工程と、を有し、前記温調処理液供給工程の後に、前記基板を次工程へ移行することを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  C23F 1/08 ,  H01L 21/306
FI (3件):
H01L 21/30 569 Z ,  C23F 1/08 ,  H01L 21/306 J
Fターム (20件):
4K057WA11 ,  4K057WB06 ,  4K057WB17 ,  4K057WC08 ,  4K057WC10 ,  4K057WN02 ,  4K057WN04 ,  5F043CC01 ,  5F043CC09 ,  5F043CC12 ,  5F043DD02 ,  5F043DD04 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE10 ,  5F043GG10 ,  5F046LA03 ,  5F046LA13 ,  5F046LA14 ,  5F046LA18

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