特許
J-GLOBAL ID：200903093968071410
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186938
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015525
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 エミッタ領域-ベース領域間の接合面積を増加させつつ、コレクタコンタクト領域の抵抗値を減少させることにより、主電流容量を増加させることができるトランジスタを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 縦型構造のpnp型パワーバイポーラトランジスタをトランジスタセルTrcとして複数配列する半導体装置において、横方向に配列されたコレクタコンタクト領域21、22間に複数の第1のエミッタ領域41,42、第2のエミッタ領域43,44が配置される。第1のエミッタ領域41,42、第2のエミッタ領域43,44はそれぞれ、1つのエミッタ領域を分割したものである。エミッタ領域41には第1の配線コンタクト部410C及び411Cが、エミッタ領域42には第1の配線コンタクト部420C及び421Cがそれぞれ配置される。エミッタ領域43、44には、いずれも配線コンタクト部は備えていない。ベースコンタクト領域31には横方向に短く縦方向に長い第2の配線コンタクト部31Cが配置される。
請求項（抜粋）：
第1の方向に配列された複数のトランジスタセルを並列接続した電力用半導体装置であって、前記トランジスタセルは、それぞれ、前記第1の方向に所定の間隔で配列されたコレクタコンタクト領域と、前記第1の方向と交差する第2の方向に所定の間隔で配列され、それぞれ第1の配線コンタクト部を有する複数の第1のエミッタ領域と、前記複数の第1のエミッタ領域のそれぞれに隣接して配置され、前記配線コンタクト部を有しない複数の第2のエミッタ領域とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/41
H01L 29/72
, H01L 29/44 F
4M104AA01
, 4M104CC01
, 4M104FF11
, 4M104GG06
, 4M104HH20
, 5F003AP00
, 5F003BB08
, 5F003BB90
, 5F003BC01
, 5F003BC05
, 5F003BC08
, 5F003BE02
, 5F003BE08
, 5F003BE09
, 5F003BE90
, 5F003BH93
, 5F003BM01
, 5F003BP31
