特許
J-GLOBAL ID：200903093969930840
発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-118315
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308534
出願日： 1997年05月08日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 透光性でかつボールアップを有効に防止し得る構造の発光半導体素子用の透光性電極とその透光性電極の作製方法を提供する。【解決手段】 本発明に係わる発光半導体素子用透光性電極は、半導体表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Au、Pt、Pd、Ni、Al、Tiからなる群より選ばれた、少なくとも1種類の金属あるいは2種類以上の金属の合金よりなる第1の層と、該第1の層上に形成された、Ni、Ti、Sn、Cr、Co、Zn、Cu、Mg、Inよりなる群より選ばれた少なくとも1種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第2の層とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Au、Pt、Pd、Ni、Al、Tiからなる群より選ばれた、少なくとも1種類の金属あるいは2種類以上の金属の合金よりなる第1の層と、該第1の層上に形成された、Ni、Ti、Sn、Cr、Co、Zn、Cu、Mg、Inよりなる群より選ばれた少なくとも1種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第2の層とを有する発光半導体素子用透光性電極。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
H01L 33/00 E
, H01L 21/28 301 H
