特許

J-GLOBAL ID：200903093970054662

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 林 一彦 ,  中田 正文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212518
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055514
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 反強磁性層から固定層へ印加される交換結合磁界が大きく、しかも固定層の保磁力が小さいことから、R-Hループ上のヒステリシスが小さく、従って良好な再生特性が得られる、磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、下地層20上にNiO層21、中間層22、第1強磁性層23、第1MRエンハンス層24、非磁性層25、第2MRエンハンス層26、第2強磁性層27及び保護層28を順次積層した構造である。中間層22は、Ni酸化物とFe酸化物との混合物からなる。

請求項（抜粋）：

反強磁性層、中間層、第1強磁性層、非磁性層及び第2強磁性層を備えた磁気抵抗効果素子において、前記反強磁性層がNi酸化物からなり、前記中間層がNi酸化物とFe酸化物との混合物からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/02 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/02 U ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R