特許
J-GLOBAL ID：200903093974377024
半導体基板へのマーキング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-002745
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191038
出願日： 1995年01月11日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 作業性に優れ、かつダイ・アタッチ・ボンデイング時の密着性に優れた半導体基板面へのマーキング方法の提供。【構成】 半導体基板へのマーキング方法において、該半導体基板を研削する工程と、研削後レーザーにより刻印する工程と、さらに刻印された半導体基板を研削する工程からなる半導体基板へのマーキング方法。レーザー刻印前の研削の粗さは刻印後の研削の粗さより粗いことが好ましく、また半導体基板の表面の複数の集積回路の各々の裏面にレーザー刻印することが好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体基板へのマーキング方法において、該半導体基板を研削する工程と、研削後レーザーにより刻印する工程と、さらに刻印された半導体基板を研削する工程からなることを特徴とする半導体基板へのマーキング方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
