特許
J-GLOBAL ID：200903093975635949
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001078
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204170
出願日： 1993年01月07日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】半導体装置のコンタクト抵抗の低減と、低いジャンクションリークを実現するコンタクト構造及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板に不純物拡散層を形成する工程と、不純物拡散層を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、不純物拡散層上の層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、第一のTi層を形成する工程と、薄いバリア層(TiN、TiW)を形成する工程、第二のTi層を形成する工程と、第一のTi層と該不純物拡散層の表面を熱処理で反応させ、チタンシリサイド層を形成する工程と、第二のTi層を窒化する工程と、金属配線層を形成する工程を有する。【効果】コンタクトホールの底において、バリアメタルを一定の膜厚で形成する事ができ、コンタクト抵抗の低減と、ジャンクション破壊の防止が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の所定領域に形成された不純物を含む不純物領域と、該不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、該開孔部の底部の不純物領域表面に形成されたチタンシリサイド層と、チタンシリサイド層上に形成された第一のTiN層と、該第一のTiN層上に形成された第二のTiN層と、該第二のTiN層上に形成された金属配線層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
