特許
J-GLOBAL ID：200903093975875800
化合物半導体トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059231
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275653
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、化合物半導体トランジスタの製造方法に関し、埋め込み電極をpn接合部分に再成長界面が形成されないように一回の成長で得ることができ、リーク等を生じ難くして素子特性を向上させることができる化合物半導体トランジスタの製造方法を提供することを目的としている。【構成】 化合物半導体層1上にマスク2を形成する工程と、次いで、該マスク2を用い、該化合物半導体層1をエッチングして面方位が各々異なる埋め込み電極部分と電流チャネル部分に対応する成長面を有する溝4を形成する工程と、次いで、該溝内にp型不純物とn型不純物の同時ドーピング層を成長して埋め込み電極7及び該電極7とは異なる導電型の電流チャネル6を形成する工程とを含むように構成する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体層(1)上にマスク(2)を形成する工程と、次いで、該マスク(2)を用い、該化合物半導体層(1)をエッチングして面方位が各々異なる埋め込み電極部分と電流チャネル部分に対応する成長面を有する溝(4)を形成する工程と、次いで、該溝(4)内にp型不純物とn型不純物の同時ドーピング層を成長して埋め込み電極(7)及び該電極(7)とは異なる導電型の電流チャネル(6)を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
