特許

J-GLOBAL ID：200903093977868550

光非相反回路とその製造方法

発明者： 山田 博仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-107918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-278423
出願日： 1995年04月08日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板にモノリシックに集積化することが可能で、かつその製造方法が容易な光アイソレータとその製造方法を得る。【構成】 平面基板1の表面に沿ってリッジ型の光導波路3を形成し、この光導波路と平面基板との界面には光波路内での光の進行方向とある角度をなすように形成された回折格子2を設ける。そしてリッジ光導波路3の光の進行方向に対する左右の側面の一方に高反射膜4を、他方を低反射膜5を形成する。光導波路3内を進行される光は、回折格子2によって側面方向に回折され、側面が高反射膜の場合には回折による光の減衰は生ぜず、側面が低反射膜の場合には光の減衰が生じ、光の非相反性が得られる。

請求項（抜粋）：

平面基板の表面に沿って形成された光導波路と、この光導波路に臨んで形成され、光導波路内での光の進行方向とある角度をなすように形成された回折格子とを備え、前記光導波路の光の進行方向に対する左右の側面の反射率が相違するように構成したことを特徴とする光非相反回路。