特許

J-GLOBAL ID：200903093978881606

光半導体素子、光半導体素子の製造方法及びその製造装置

発明者： 佐々木 達也 ,  松本 卓
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031595
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 MOVPE選択成長を用いて同一半導体基板内で波長の異なる素子を同時に製造する際に、高均一な素子特性を得るとともに、波長範囲を拡大する。【解決手段】 半導体基板100上に一対の成長阻止マスク2をストライプ状に複数列形成する第1の工程と、成長阻止マスク2の空隙部に有機金属気相成長法によりIII 族元素、およびV族元素からなるIII /V族化合物半導体層を選択的に形成する第2の工程を含む光半導体素子の製造方法に於て、第2の工程において、III /V族化合物半導体層のV族混晶組成が基板面内で分布する様な結晶成長条件を用いてIII /V族化合物半導体層を選択的に形成する光半導体素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、一対の成長阻止マスク間にIII /V族化合物半導体層からなる活性層が配置されて構成された光発生素子が、複数個所定の方向に配置されてなる光半導体素子であって、当該個々の光発生素子に於ける当該活性層の幅(Lz)及び歪み(ε)が、当該個々の複数個の光発生素子の当該配列方向に沿って、略一定に設定されており、然も当該個々の光発生素子が発生する光の発光波長(λ)は、当該複数個の光発生素子に於ける当該所定の方向に沿って一定の方向に変化している事を特徴とする光半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Fターム (19件)：

5F041AA12 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041FF14 ,  5F073AA43 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073AB21 ,  5F073BA02 ,  5F073CA01 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA04