特許

J-GLOBAL ID：200903093982106161

半導体シリコンウェハおよびその製造方法

発明者： 窪 田 敦 子 ,  上 野 芳 弘 ,  土 屋 憲 彦 ,  佐 俣 秀 一 ,  沼 野 正 訓 ,  児 島 正 勝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128959
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086289
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 内部ゲッタリング効果を向上させることができるとともに、表面を無欠陥とすることができる半導体シリコンウェハの製造方法を提供する。【構成】 シリコンインゴット10を作成した後、このシリコンインゴット10を切断してシリコンウェハ11を作成する。次にシリコンウェハ11の一方の面に多結晶シリコン堆積層12を設け、不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス中で熱処理してシリコンウェハ11の他方の面近傍から酸素を放出する。この他に、熱処理してシリコンウェハ11から酸素を放出した後に、シリコンウェハ11の一方の面に多結晶シリコン堆積層12を設けても良い。

請求項（抜粋）：

半導体シリコンウェハの一方の面に多結晶シリコン堆積層を設ける工程と、その後前記半導体シリコンウェハを不活性ガスまたは還元性ガスまたはこれらの混合ガス中で熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする半導体シリコンウェハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-163920
  
• 特開昭60-247935
  
• 特開平3-273639