特許

J-GLOBAL ID：200903093983321546

半導体装置用導電部材、半導体装置用パッケージおよびそれらの製造方法

発明者： 山田 智行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-090040
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266349
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】半導体素子近傍のリードが金属メッキされた半導体装置用導電部材において、金属メッキが変色するのを防止し、光源近傍における反射効率の低下を防ぐことが可能な半導体装置用導電部材を提供する。【解決手段】半導体装置に組み込まれ、半導体素子と電気的に接続され、前記半導体装置において、少なくとも一部が、金属塩化合物を含有する光透過性の樹脂14によって封止される半導体装置用リード11であって、前記少なくとも一部における、樹脂14に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含み、前記少なくとも一部における、樹脂14に近接する領域が、電子供与性基を有する化合物で被覆されているリード11。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体装置に組み込まれ、半導体素子と電気的に接続され、前記半導体装置において、少なくとも一部が、金属塩化合物を含有する光透過性の樹脂によって封止される半導体装置用導電部材であって、 前記少なくとも一部における、前記樹脂に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含み、前記少なくとも一部における、前記樹脂に近接する領域が、電子供与性基を有する化合物で被覆されていることを特徴とする半導体装置用導電部材。

IPC (2件)：

H01L 23/28 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L23/28 A ,  H01L33/00 N ,  H01L23/28 D

Fターム (20件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA06 ,  4M109DA10 ,  4M109DB07 ,  4M109FA06 ,  4M109FA09 ,  4M109FA10 ,  4M109GA01 ,  5F041AA14 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA22 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA74 ,  5F041DB09 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11