特許
J-GLOBAL ID：200903093984375194
結晶太陽電池並びに太陽電池モジュールおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 泰甫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-109113
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307797
出願日： 1998年04月20日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 端面のエッチングや裁断を行うことなく、端面リークを防止できる構造を有する結晶太陽電池を提供する。【解決手段】 p型あるいはn型の結晶シリコンの半導体基板20の裏面に裏面電極21を設け、半導体基板20の表面側に、これとは逆極性の結晶層22を形成する。半導体基板20の表面には、結晶層22上に積層された透明電極24と、透明電極24上に形成された取出電極25とからなる表面電極23を設ける。半導体基板20の側面は、シリコーン樹脂の絶縁物26で覆って、端面リークを防止する。
請求項（抜粋）：
結晶半導体基板の裏面に裏面電極が設けられ、前記結晶半導体基板の表面に透光性の表面電極が設けられ、端面リークを防止するために前記半導体基板の側面が絶縁物で覆われたことを特徴とする結晶太陽電池。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 C
, H01L 31/04 H
